Centrum Studiów Zaawansowanych » Goście » Profesorowie wizytujący » Profesorowie wizytujący – archiwum »
Profesor Tomasz Skotnicki
Profesor Tomasz Skotnicki jest światowej rangi specjalistą w zakresie przyrządów półprzewodnikowych, metod ich modelowania oraz zaawansowanych technologii mikroelektronicznych.
Prof. Tomasz Skotnicki jest absolwentem Wydziału Elektroniki Politechniki Warszawskiej. Stopień doktora uzyskał w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie, a stopień „Habilitated for Directing Research” w INPG Grenoble. W 2007 r. otrzymał tytuł profesora z rąk Prezydenta RP. Obecnie prof. Skotnicki pełni funkcję Dyrektora Programu Przyrządów Zaawansowanych w STMicroelectronics (Crolles, France), jest także wykładowcą w Ecole Polytechnique Federale w Lozannie. Na jego dorobek nauczyciela akademickiego składają się wykłady w Institut National Polytechnique w Grenoble, a także wypromowanie około 20 rozpraw doktorskich.
Prof. Skotnicki jest współautorem The International Semiconductor Roadmap for Semiconductors – periodycznie aktualizowanego dzieła, określającego kierunki rozwoju i wytyczającego zadania badawcze dla całego światowego przemysłu półprzewodnikowego. Ponadto jest autorem i współautorem około 300 artykułów, a także posiadaczem około 50 patentów. W latach 2001 – 2007 był edytorem IEEE Transactions on Electron Devices.
Prof. Skotnicki będzie gościł na Politechnice Warszawskiej w okresie od 30 października 2009 r. do 30 listopada 2009 r. W tym czasie będzie brał udział w badaniach, których celem jest lepsze zrozumienie i optymalizacja powiązań między, specyficznymi cechami struktury przyrządu aktywnego (takimi jak tranzystory MOS wykonane w technologiach „bulk” i „FD SOI”) a optymalizacją projektu układu uwzględniającą pobór mocy, wydajność i zajmowaną powierzchnię. Badania te będą prowadzone w realistycznym kontekście układów cyfrowych, reprezentowanych przez projekty przeznaczone dla technologii 20nm CMOS o małym poborze mocy. Brane będą pod uwagę takie czynniki, jak minimalne napięcie zasilania, zależności temperaturowe, skuteczność technik polaryzacji podłoża względem żródła. Szczególna uwaga będzie zwrócona na studium różnych realizacji technologicznych („bulk”, „FD SOI” i inne, np. przyrządy tworzące regularne matryce) pod kątem wpływu na wydajność obliczeniową układów cyfrowych. W dalszych krokach wyniki analiz powinny dać podstawę do opracowania wytycznych dla projektowania topografii układów, umożliwiając projektantom, komórek bibliotecznych, maksymalne wykorzystanie możliwości stwarzanych przez technologię, co będzie prowadzić w kierunku globalnej optymalizacji projektu i procesu technologicznego.
Do tego celu STMicroelectronics udostępni do wykorzystania przykłady logicznych ścieżek krytycznych w projektach cyfrowych. Wnioski będą wyciągane na podstawie najkorzystniejszych realizacji technologicznych i odpowiadających im rekomendacji dotyczących topografii układów.
Rolę opiekunów profesora Tomasza Skotnickiego pełnią: profesor Wiesław Kuźmicz i profesor Stanisław Janeczko.